长鑫科技新突破！A股存储板块大爆发，先导基电强势涨停

9月22日，A股存储芯片概念表现活跃，先导基电（600641.SH）与时空科技双双涨停，澜起科技、全志科技、通富微电、万通发展、德明利、长鑫科技（688825.SH）、君正股份等个股跟涨。

据介绍，长鑫科技的G5平台工艺水平可比肩行业顶尖量产工艺节点，是该公司在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。通过四重曝光技术，长鑫科技将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

AI算力建设正在从根本上重塑DRAM行业的周期逻辑。天风证券指出，AI算力建设带来服务器DRAM长期增量，全球DRAM需求高增，大幅对冲手机、PC消费端需求疲软的影响，行业周期逻辑发生根本性变化。同时，存储厂商随下游需求动态调控产能，但晶圆厂建设及产能爬坡周期长达数年，未来几年DRAM行业或将延续供不应求态势。

这一判断在瑞银最新预测中得到数据支撑。瑞银估算，2026年全球AI资本支出总额将达9980亿美元，较2025年的5060亿美元几乎翻倍。这一预测的大幅上修，主要源于内存价格的快速攀升。瑞银估计，全球内存支出将从2025年的710亿美元跃升至2026年的3670亿美元。

从竞争格局看，全球DRAM市场近90%的有效产能仍集中于三星、SK海力士、美光三大原厂。但国产存储厂商正加速突破。

天风证券表示，长鑫科技聚焦高毛利DRAM赛道，工艺技术、IDM模式、产品、客户、供应链等优势构筑核心成长壁垒。公司完整覆盖DRAM设计、制造、封测、模组全链条，DDR、LPDDR产品性能对标海外三巨头，广泛适配服务器、移动终端、PC、智能汽车多类下游；相较三星、美光等同业同时布局NAND、面板等低毛利业务，公司聚焦高毛利DRAM赛道，盈利弹性更显著。

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（作者：李益文 编辑：李燕娜）